SK 海力士加大环保投入,在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮
7 月 25 日消息,SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气(F2)。
SK 海力士 2024 可持续发展报告显示,该公司原先将三氟化氮(NF3)用于芯片生产过程中的清洗工艺,用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物,其全球变暖潜能值(GWP)显著高于氟气(NF3的 GWP 为 17200,而 F2为 0)。
除此之外,SK 海力士还进一步增加了氢氟酸(HF)的使用量(可用于低温蚀刻设备),该气体的 GWP 为 1 甚至更低,远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
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