美光新内存模块 开始送样
美光18日宣布，该公司多重存取双列直插式内存模块（MRDIMM）开始送样，针对内存需求高达每DIMM 插槽128GB以上的应用，其效能更胜目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。
光第一代MRDIMM，与IntelR XeonR 6处理器兼容。美光MRDIMM现已上市，将于2024年下半年开始大量出货。
美光指出，开始送样的内存是美光MRDIMM系列的第一代产品，实现最高带宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦效能，加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。
美光副总裁暨运算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的创新主存储器解决方案MRDIMM，以更低的延迟提供业界迫切需要的高带宽与大容量，有助在下一代服务器平台上实现大规模AI推论和高效能运算（HPC）应用。
MRDIMM显着降低每项任务的功耗，同时延续了与RDIMM相同的可靠性、可用性和可维护性功能与接口，为客户提供灵活扩充效能的解决方案。
由于美光与业界紧密合作，因此，新产品不仅能够无缝整合到现有服务器基础架构中，更可顺畅衔接未来运算平台。
MRDIMM技术采用DDR5的物理与电气标准，带来更先进的内存，每核心的带宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益成长的需求。
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