HBM排挤效应 DRAM涨势可期
近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。
业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。
据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。
而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其规格为HBM3E 192／384GB，在AI服务器需求带动下，预期HBM产出将接近翻倍，2025年HBM于全球DRAM产能占比将超过10％。
由于三星为DRAM产业龙头，市占率高达42％，若其HBM3E通过辉达认证，产能大幅转作HBM3E下，恐将使DDR4产能供给大幅减少，三星DDR3亦将于2024年底停产。
法人分析，三星主要以1a nm制程生产HBM3E、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR5，并以1z nm生产HBM3、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR4／5，后续放量时，1a nm制程生产的产品，将遭受产能排挤，隐含DDR5／LPDDR5系列产品为主要的受惠者。
法人认为，2024年以来，DRAM市场需求和产品涨幅顺序，先后排序为HBM、DDR5、DDR4和DDR3。台厂南亚科、华邦电因主要生产DDR3和DDR4，故DRAM产业转为涨价循环后，获利改善幅度不如前三大厂。
但随HBM排挤效益扩大，以及一般型应用需求回温，DDR4和DDR3涨价循环可望延续，并致使两厂2025年获利有望大幅改善。
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