HBM供应吃紧催生DRAM涨价 美光股价飙涨
内存大厂美光预计6月26日公布季报，自美光的高带宽内存（HBM）开始供货给辉达后，已化身为AI明星股，年初至今，美光股价大涨近七成，市值大增636.26亿美元，至1,545.22亿美元。
市场分析师预期，美光经营层将大谈需求改善、行业供应紧张、价格进一步上扬，以及他们供应给辉达和其他AI芯片厂商的HBM，下一世代的发展，提出对后市正向的看法。
由于AI应用的需求，人们对DRAM、HBM的兴趣与日俱增，且内存市场通常存在「FOMO」（Fear of missing out）现象，意思是「害怕错失机会」，在美光等大厂持续鼓吹下，追涨的可能性上升。
市场分析师预估，2025年和2026年美光每股税后纯益（EPS），有可能达到20美元，其中，HBM将带来3美元的直接影响。另外，HBM的供应吃紧情况，可驱动DRAM的价格上涨，进一步推升美光营收。
美光因HBM受到市场瞩目，但根据法人调查，硅穿孔（TSV）为现有HBM3E供货商的主要瓶颈，市场领导厂商海力士（SK Hynix）的TSV良率约为60％，HBM3E生产的总良率约为50％，对应前一代HBM3时，SK Hynix的总良率超过70％。
美光良率相对落后，可能在40％左右，三星TSV良率则较佳，约在60％左右，但三星关键问题是散热，导致认证周期较长。
三星已获得辉达有条件的小批量出货批准，但散热问题仍在，市场普遍认为，三星获得辉达认证过关只是时间问题，但进展似乎比预期要略晚一些。
根据研调机构调查，由于目前8hi HBM3E的良率较低，且2025年将提升至12hi，预计HBM3E供应将保持紧张，即使三星进入该市场，但价格仍呈上涨趋势（预估2025年上涨5％～10％）。长期而言，预计HBM市场规模在2024年至2026年期间的复合年增长率将达到95％。
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