韩国FTC:NAND Flash大厂无操控价格

网络与存储 时间:2010-01-04来源:DigiTimes

  据华尔街日报(WSJ)报导,韩国公平贸易委员会(FTC)并未发现NAND Flash存储器大厂有任何操控价格的证据,将结束为期将近3年的调查。此外,韩国FTC表示,至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市场。

  韩国FTC自2007年1月开始调查存储器产业是否存在操控价格的不法行为,并调查4家全球存储器大厂,包括两家韩国厂商、1家日本及1家美国厂商,然FTC并未透露遭调查的厂商名称。

  存储器产业近年来遭数个国家调查是否存在柯断,近期许多调查陆续结束,2009年8月美国司法部结束对半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)及东芝(Toshiba)涉及柯断快闪存储器芯片的调查,并未起诉或处以罚款;此外,2008年美国及欧盟反柯断单位也结束SRAM市场的反柯断调查。

关键词: Samsung DRAM 存储器芯片 NAND

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