南亚科技:首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

网络与存储 时间:2024-05-30来源:IT之家

IT之家 5 月 30 日消息,综合台媒《工商时报》《经济日报》报道,南亚科技在昨日的年度股东常会上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。

南亚 DDR 内存

南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产,涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。

此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16Gb LPDDR4 内存和 4Gb DDR3 内存等产品。

南亚科技今年也将同步开发 TSV 技术,未来将结合 DDR5 内存颗粒和该技术,制造高容量的(3DS)DRAM 内存模组,满足服务器市场的需求。

南亚科技表示,其在每个制程世代都达到 30% 的位元提升速度,目前正同比利时 imec 微电子研究中心合作,为采用 EUV 光刻机的先进 DRAM 制程做准备

南亚科技 4 月实现 32.06 亿元新台币(IT之家备注:当前约 7.18 亿元人民币)合并营收,同比大增 41.88%。


关键词: 南亚科技 内存 DRAM

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