三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

网络与存储 时间:2024-05-29来源:SEMI

据外媒报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。

如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。

三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲,分析铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用。这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。

此前有消息称,三星计划明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,达到430层,进一步提高NAND的密度,并巩固和扩大其领先优势。

关键词: 三星 NAND 存储

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