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MIT 854-TEOS有图形晶圆用于形貌研究（图6）。在此晶圆上覆盖的Cu层约1.0μm，在下压力为1.2psi时抛光到终点。被抛光的晶圆上没有Cu残留物。用高去除速率研磨剂在10μm线条上形成的凹陷约为1265?，对于Cu 3D TSV应用，这是可以接受的。由于3D TSV应用Cu CMP的主要瓶颈是体Cu的抛光台阶，若在软着陆台阶处用低凹陷研磨剂，就能获得低得多的形貌。表面粗糙度是在0.6μm Cu层去除后在Cu blanket上测量的。抛光后观测到均匀性好。加工完成后的Cu晶圆表面非常平滑，表面粗糙度低（在9～13?之间）。电化学实验结果也指出，Cu晶圆表面的腐蚀率为9.3?/min。这表明该研磨剂腐蚀少，平坦化效率高。研究结果说明，Cu络合和Cu表面钝化在高速Cu CMP研磨剂设计中十分重要。很好的平衡这些因素可得到高的Cu去除速率，保持相当好的形貌、表面粗糙度和缺陷率，这对3D TSV Cu CMP应用是重要的。

结论

ER9212研磨剂提供了体Cu高去除速率、良好的形貌和低表面粗糙度。它是高速Cu CMP应用（如Cu 3D TSV、Cu MEMS和顶层Cu CMP等）的优良备选研磨剂。

关键词： 化学机械平坦化 半导体制造 TSV ER9212研磨剂