纺织机探纬器
作者：dolphin
时间：2012-07-26
本例介绍的纺织机探纬器电路，采用光电控制方式，可作为进口喷气式无梭纺织机探纬器的维修替代电路。
电路工作原理
该纺织机探纬器电路由光电信号检测放大电路和LED驱动电路组成，如图8-133所示。
光电信号检测放大电路由红外光敏晶体管Vl与V2、电阻器R2-R5与R7-R9、电位器RP、电容器Cl和运算放大器集成电路IC(Nl、N2)内部的Nl组成。
LED驱动电路由红外发光二极管VL，晶体管V3、V4，电阻器肛-R4、R6、R10-R16，电位器RP，电容器C2-C4和IC内部的运算放大器N2组成。
VL和Vl安装在纺织机的钢箱上。在织布机织布时，计算机系统发出指令，织布机动作一次，一根纬线的喷气沿钢筘送行。
在纺织机有纬线送行时，VL发出的红外光被遮挡住，使Vl集电极电位上升，Nl和N2输出高电平，Nl输出的高电平作为计算机的采样信号，计算机指挥纺织机继续工作;N2输出的高电平使V3和V4的导通能力增强，VL的工作电流上升为40mA左右，
当纺织机无纬线送行时，Vl受VL发射的红外光照射而导通，使Nl和N2均输出低电平。山输出的低电平经计算机采样后发出停机指令，使纺织机停止工作并报警;N2输出的低电平使V3和V4的导通能力减弱，VL的工作电流由4OmA降至2OmA。
RP用来设定Nl和N2反相输入端的基准电压。
元器件选择
Rl-Rl5均选用1/4W金属膜电阻器;R16选用lW的金属电阻器。
RP选用小型合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl选用耐压值为25V的铝电解电容器;C2选用耐压值为5OV的铝电解电容器;C3和C4选用独石电容器或涤纶电容器。
VL选用HG42l-HG423型硅红外发光二极管。
Vl选用3DU41-3DU43型硅红外光敏晶体管;V2和V3均选用S8050型硅NPN晶体管;V4选用S8550型硅PNP晶体管。
lC选用LM393型集成运算放大器。
电路工作原理
该纺织机探纬器电路由光电信号检测放大电路和LED驱动电路组成，如图8-133所示。
光电信号检测放大电路由红外光敏晶体管Vl与V2、电阻器R2-R5与R7-R9、电位器RP、电容器Cl和运算放大器集成电路IC(Nl、N2)内部的Nl组成。
LED驱动电路由红外发光二极管VL，晶体管V3、V4，电阻器肛-R4、R6、R10-R16，电位器RP，电容器C2-C4和IC内部的运算放大器N2组成。
VL和Vl安装在纺织机的钢箱上。在织布机织布时，计算机系统发出指令，织布机动作一次，一根纬线的喷气沿钢筘送行。
在纺织机有纬线送行时，VL发出的红外光被遮挡住，使Vl集电极电位上升，Nl和N2输出高电平，Nl输出的高电平作为计算机的采样信号，计算机指挥纺织机继续工作;N2输出的高电平使V3和V4的导通能力增强，VL的工作电流上升为40mA左右，
当纺织机无纬线送行时，Vl受VL发射的红外光照射而导通，使Nl和N2均输出低电平。山输出的低电平经计算机采样后发出停机指令，使纺织机停止工作并报警;N2输出的低电平使V3和V4的导通能力减弱，VL的工作电流由4OmA降至2OmA。
RP用来设定Nl和N2反相输入端的基准电压。
元器件选择
Rl-Rl5均选用1/4W金属膜电阻器;R16选用lW的金属电阻器。
RP选用小型合成碳膜电位器或可变电阻器。
Cl选用耐压值为25V的铝电解电容器;C2选用耐压值为5OV的铝电解电容器;C3和C4选用独石电容器或涤纶电容器。
VL选用HG42l-HG423型硅红外发光二极管。
Vl选用3DU41-3DU43型硅红外光敏晶体管;V2和V3均选用S8050型硅NPN晶体管;V4选用S8550型硅PNP晶体管。
lC选用LM393型集成运算放大器。
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