电子产品世界

Renesas Electronics 表示，随着市场竞争加剧，公司正在加大对其氮化镓（GaN）功率器件的承诺，并转向使用 200 毫米晶圆和 650V d 模式器件。

Navitas Semiconductor 也通过与大功率芯片和英飞凌技术的合作，转向使用 200 毫米晶圆，而英飞凌技术正在准备在更大的 300 毫米晶圆上进行生产。

Renesas 的举措是基于与美国 Polar Semiconductor 的最近合作协议，以及在 2027 年开始在日本第二个 200 毫米晶圆厂的生产。该公司宣布已暂停碳化硅（SiC）和 IGBT 硅功率器件的开发，以专注于 GaN。

“Renesas 正加大 GaN 和 MOSFET 的投入，因为市场需求持续旺盛，”GaN 业务部门总经理 Primit Parikh 表示。这已经将 GaN 芯片开发商 Transphorm（Parikh 曾是联合创始人）与 Dialog Semiconductor 的控制器和驱动芯片合并了。

他说，双向耗尽模式（d-mode）器件结构更简单，每单位面积的导通电阻更低，从而降低了器件成本。重点是数据中心用的 650V 器件，而双向能力可以支持 ±400V，用于 Nvidia 推广的 800V 电力传输网络 联盟 。

然而，对于电压更高的 1200V 器件没有计划，这些器件此前在 Transphorm 公司正在开发中。“1200V 已暂停，因为我们正在监测市场并与客户沟通，”Parikh 表示。

市场分析人士预计，氮化镓在电力应用领域的收入将以每年36%的速度增长，到2030年将达到约25亿美元，尽管这可能是一个低估，因为该技术正驱动人工智能数据中心以提高效率。

Navitas 氮化镓交易

Navitas 半导体今日宣布与富鼎半导体制造股份有限公司（PSMC 或富鼎）建立战略合作关系，以开始生产并继续开发 200 毫米氮化镓-on-silicon 技术。

Navitas 计划使用富鼎的 200 毫米 Fab 8B 工厂，位于台湾竹园科学园区，该工厂提供 180 纳米工艺，以改善性能、电源效率、集成度和成本。

“在 180 纳米工艺节点上进行 200 毫米氮化镓-on-silicon 生产使我们能够继续创新更高功率密度、更快、更高效的设备，同时同时提高成本、规模和制造良率”，Navitas WBG 技术平台高级副总裁 Sid Sundaresan 博士表示。

预计 Powerchip 将生产电压范围为 100V 至 650V 的 Navitas 产品组合，以满足 48V 基础设施日益增长的氮化镓需求，包括超大规模人工智能数据中心和电动汽车。首批器件的认证预计在 2025 年第四季度完成。

100V 系列预计将在 2026 年上半年率先在 Powerchip 开始生产，而公司预计 650V 器件将在未来 12 至 24 个月内从 Navitas 现有的供应商台积电 (TSMC) 转移到 Powerchip。

“我们很荣幸能与 Powerchip 合作，推进 200 毫米氮化镓硅基生产，并期待在接下来的几年里共同推动持续创新，” Navitas 的 CEO 和联合创始人 Gene Sheridan 表示。“通过我们与 Powerchip 的合作，我们有望在产品性能、技术进步和成本效率方面取得持续进展。”

“Powerchip 多年来一直与 Navitas 合作氮化镓硅基技术，我们很高兴宣布产品认证即将完成——这使我们接近大规模生产，” Powerchip 总裁 Martin Chu 表示。

300毫米晶圆

英飞凌也预计，今年年底前将提供基于 300 毫米晶圆的 GaN 器件样品给客户。

“我们的全面扩展的 300 毫米 GaN 制造将使我们能够更快地为客户创造最大价值，同时朝着与硅和 GaN 产品实现成本平价的目标迈进，”英飞凌 GaN 业务线负责人约翰内斯·肖斯沃说。“在英飞凌 300 毫米 GaN 晶圆技术突破性进展宣布近一年后，我们很高兴看到我们的转型过程进展顺利，并且行业已经认识到英飞凌 GaN 技术的重要性，这得益于我们 IDM 战略的强大实力。”

更大的晶圆直径允许每块晶圆生产2.3倍的芯片，但也需要单台晶圆外延反应器，而不是处理多个200毫米晶圆，雷恩斯拉斯的帕里克说。

“从多晶圆反应器转向单晶圆反应器，300mm 晶圆的外延晶圆扩展非常不同，但真正的 影响 需要研究，”他说。“我们看到 8 英寸可以满足好几年，四到五年，因为低压器件和更薄的外延层将首先转向 12 英寸。”

关键词： 瑞萨 氮化镓

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