Microchip高压辅助 E-Fuse 参考设计
利用我们先进的高压辅助 E-Fuse（电子熔断器）技术增强您的混合动力电动汽车 （HEV） 和电动汽车 （EV） 系统，以实现卓越的性能和可靠性。这种尖端解决方案采用我们的 700V 和 1200V 碳化硅 mSiC™ 产品，提供全面高效的设计。集成的时间-电流特性 （TCC） 曲线有助于在非汽车应用中实现无缝迁移，包括直流固态断路器 （SSCB）。
主要特点
可配置的电流限制曲线，用于定制保护
LIN 通信接口，用于增强可配置性和诊断
灵活的高侧或低侧驱动配置
短路耐受时间为 10 μs
额定电流 30A
低电压工作范围：9V 至 16V
高压工作范围：200V 至 900V
宽工作温度范围：−40°C 至 85°C
汽车级设计，仅使用符合 AEC 标准的组件
六种型号，支持 400V 和 800V 总线电压，连续额定电流为 10A、20A 和 30A
开关频率高达 20 kHz
应用
电动汽车 （EV）
混合动力电动汽车 （HEV）
充电站
直流智能电网
工业应用
设计优势
带过流保护的高压固态继电器
最佳性能和效率
久经考验的解决方案，避免采购单个零件
通过可靠性和加速开发来降低风险
线性调节器
MCP1793 - 100 mA 高输入电压汽车级 LDO
MCP1792 - 100 mA 高输入电压汽车级 LDO
| 零件编号 | 产品类型 | 描述 |
|---|---|---|
MSC035SMA070 | 700V、35 mOhm、分立式 mSiC™ MOSFET | 700V、35 mOhm、分立式 SiC MOSFET |
MSC015SMA070 | 700V、15 mOhm、分立式 mSiC™ MOSFET | 700V、15 mOhm、分立式 SiC MOSFET |
MSC040SMA120 | 1200V、40 mOhm、分立式 mSiC™ MOSFET | 1200V、40 mΩ、分立式 SiC MOSFET |
MSC025SMA120 | 1200V、25 mOhm、分立式 mSiC™ MOSFET | 1200V、25 mOhm、分立式 SiC MOSFET |
PIC16F15345 | 高性价比的 8 至 48 引脚 8 位微控制器 | |
PIC10F322 | 448 B 闪存、32 B RAM、4 个 I/O、8 位 ADC、PWM、CLC、DDS、CWG、 | |
ATA663211 | LIN 收发器 | ATA663211 |
TC4432 系列 | 1.5 A MOSFET 栅极驱动器 | 1.5 A MOSFET 栅极驱动器 |
MCP6022 | 轨到轨输入/输出，10 MHz 运算放大器 | 10MHz、双通道、精密运算放大器 |
MCP1793 | 100 mA 高电压汽车级 LDO | 100 mA 高输入电压汽车级 LDO |
MCP1792 | 100 mA 高电压汽车级 LDO | 100 mA 高输入电压汽车级 LDO |
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