电子产品世界

8月6日，路透社报道称，中国科技巨头例如百度、华为以及部分初创公司都在囤积三星电子的高带宽存储器（HBM）芯片，以应对美国对华芯片出口限制。自今年年初以来，这些公司加大了对人工智能半导体的购买力度，使得中国企业占据了三星HBM约30%的收入份额。

美国计划8月公布的出口管制方案，无疑给全球半导体供应链带来了新的不确定性。特别是针对HBM芯片的限制措施，将直接影响中国AI企业的供应链安全。在此背景下，中国企业选择提前囤积HBM芯片，尤其是HBM2E型号，虽然该型号比最先进的HBM3E落后两代，但在当前市场环境下，确保供应稳定成为企业的首要任务。

HBM芯片成AI标配

       HBM意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中，等待GPU调用。同时，AI芯片需高效处理大量并行数据，这要求强大的算力和充足的带宽。算力直接影响数据处理速度，带宽则决定每秒可访问数据量。算力由AI芯片本身决定，而带宽受存储器影响。存储能力成为限制AI芯片性能的关键因素之一。理想的存储器应具备高带宽、低能耗，并能在不增加占用面积的前提下扩展容量。

HBM作为DRAM芯片领域的前沿技术，通过创新的3D堆叠工艺，将多层DRAM芯片精密叠加，并借助硅通孔（TSV）技术实现高效的垂直互联，这一设计极大地提升了数据传输带宽，降低了能耗，从而加速了数据处理效率，成为支撑AI服务器高性能运算不可或缺的核心元件，尤其适用于大规模模型训练与推理的算力密集型任务。当前，全球HBM市场主要由三星、SK海力士及美光三大巨头引领。

HBM凭借与2.5D CoWoS封装技术的结合及与AI算力芯片的协同工作，实现了算力性能的全面释放与优化。除了CoWoS这一成熟的先进封装解决方案外，还有台积电的下一代晶圆系统平台——CoW-SoW，旨在通过创新架构提升集成度与性能；SK海力士的HBM的硅通孔技术（TSV）应用，结合批量回流模制底部填充（MR-MUF）先进封装策略；以及三星推出的非导电薄膜热压缩技术（TC-NCF），通过热压缩与非导电薄膜的结合，实现高效热管理与封装密度的双重提升。

HBM市场“一夜爆红”

据研究机构数据显示，产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。展望2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3E，且将会有更多12hi的产品出现，带动单芯片搭载HBM的容量提升。2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望将再翻倍。

l  2023年8月，SK海力士宣布开发完成HBM3E。今年3月，SK海力士宣布成功量产HBM3E，并在3月末开始向客户供货。

l  2024年2月26日美光宣布已经开始量产HBM3E，将应用于英伟达第二季度出货的H200 Tensor Core GPU。

l  2023年10月，三星方面宣布推出代号为Shinebolt的新一代HBM3E，在今年2月27日，其在其官网宣布开发出了业界首款36GB HBM3E 12H DRAM。根据外媒报导，三星已与AMD签订协议将供应HBM3E 12H DRAM用于AMD Instinct MI350系列AI芯片。

尽管市场上已推出最先进的HBM3E（即第五代HBM），引领技术前沿，但据外媒援引未具名消息源透露，中国企业在HBM采购上仍聚焦于HBM2E型号，这一选择相较于HBM3E存在两代的技术差距，反映出特定市场阶段下的实际需求与供应链策略。

值得注意的是，近期有外媒于7月31日报道，美国政府正酝酿于8月实施新一轮出口管制措施，目标直指中国获取AI存储芯片及其制造设备的渠道，意图阻断美光、SK海力士及三星等厂商向中国供应包括HBM2、HBM3乃至最新HBM3E在内的关键芯片产品。

国产存储HBM现状

中国企业对三星HBM芯片的高需求，部分原因在于国内技术开发尚未完全成熟，以及其他制造商的产能已被美国人工智能公司预订满。这一现状迫使中国企业不得不依赖外部供应，同时也激发了中国在HBM生产方面的自主努力。尽管目前中国企业在HBM生产上仍落后于国际先进水平，但已有企业在该领域取得了一定进展，为未来实现技术自主可控奠定了基础。

DRAM 原厂长鑫存储与芯片封装测试公司通富微电子合作开发了HBM芯片样品。目前已送样给潜在客户。长鑫存储有强大的DDR5能力，而HBM的基础就是DDR5加上先进封装TVS技术，而富通微正好有先进封装技术，二者结合强强联手。

还有，武汉新芯发布消息正在筹建新基地，生产国产高带宽存储器(HBM)产品，规划月产出能力≥3000片（12 英寸）。

由海力士与太极实业合资成立的海太半导体，具备高端DRAM封测能力。太极实业是目前国内唯一拥有16 层DRAM高堆叠技术储备的企业。由于海太半导体的技术源自海力士，目前已提供DRAM封装技术，并有望接受 HBM3（12层堆叠）封装订单。

最后的话

其实，中国企业的囤积行为并非没有风险。一方面，高昂的采购成本可能对企业财务造成一定压力；另一方面，如果美国最终实施更严格的出口管制，已囤积的HBM芯片也可能面临无法持续供应的问题。因此，中国企业在加大采购力度的同时，也应加快自主研发步伐，提升国内芯片产业的整体竞争力。

7月31日，外交部发言人林剑表示，中方已多次就美国恶意封锁打压中国的半导体产业，阐明严正立场。美方将经贸科技问题政治化、泛安全化、工具化，不断加码对华的芯片出口管制，胁迫别国打压中国半导体产业，严重破坏国际贸易规则，损害全球产供链稳定，不利于任何一方。中方对此一贯坚决反对，我要强调的是遏制打压，阻挡不了中国的发展，只会增强中国科技自立自强的决心和能力。

关键词： HBM芯片 人工智能 三星

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