台积电:仍在评估 High NA EUV 光刻机,采用时间未定

时间:2024-07-30来源:IT之家

IT之家 7 月 30 日消息,《电子时报》昨日报道称,台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。

对此,台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示,仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性,目前采用时间未定。

ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机

▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机,图源:ASML

上个月,ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机,价值达 3.8 亿美元(IT之家备注:当前约 27.6 亿元人民币)。

▲ 开放式、完全组装的 TWINSCAN EXE:5000

在此之前,ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块,并已于今年 4 月 18 日完成组装。

ASML 表示,这台光刻机重量高达 150 吨,相当于两架空中客车 A320 客机,全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运,一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。

▲ 蔡司进行 High NA EUV 镜测试

资料显示,ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率达 8nm,可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩,从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍,可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍,EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆,而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。

也就是说,ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型,而是用于尖端工艺的开发和验证;其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是,英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。


关键词: 台积电 ASML 光刻机 EUV

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