电子产品世界

近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。

近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮先生，向EEPW介绍了英飞凌在氮化镓领域的最新技术成果与新品，并分享其收购GaN Systems公司后带来的积极作用。

CoolGaN™技术的创新应用

氮化镓材料以其卓越的开关速度、超低导通阻抗以及高度集成设计，正引领着电子技术的革新。氮化镓器件能够轻松应对高频工作环境，显著减小了被动元器件和散热器的尺寸，从而降低了系统成本。同时，其单位面积导通阻抗远低于硅器件，在相同功率下减少了热量产生，提高了系统的能效比。

自2023年10月成功收购GaN Systems以来，英飞凌的氮化镓产品线得到了显著扩展。从原来的两种产品——分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power），扩展至五种创新产品，以满足不同应用场景的需求。新一代CoolGaN™半导体器件系列，专为高压（HV）与中压（MV）应用精心打造，极大地拓宽了氮化镓（GaN）技术的应用边界，覆盖40V至700V的广泛电压范围，加速推动了行业的数字化转型与低碳环保进程。

CoolGaN™ Transistor系列涵盖高压与中压多样产品，专注增强型器件，融合电压与电流型驱动技术，得益于GaN Systems收购，实现技术全面整合。所有氮化镓器件均为贴片封装，确保最小封装集成参数，展现高速特性优势。

CoolGaN™ BDS作为创新亮点，提供理想双向开关解决方案，解决传统MOS管拓扑结构限制，实现单颗器件双边可控，开关迅速，引领技术变革。该产品虽未上市，但预期将受市场热烈反响，适用于电池保护、大功率电池管理、电动工具及储能光伏等高压双向开关需求场景。

CoolGaN™ Smart Sense引入沟槽电流检测技术，通过内部沟槽采样电流，实现高精度电流监控，避免外部电阻损耗及高速开关下的杂讯问题，提升系统性能与稳定性。

针对市场长期存在的门极驱动难题，CoolGaN™ Drive提供集成化解决方案，简化设计，确保高效稳定驱动。该方案兼容原有硅器件驱动电压，无需调整偏置电压，实现无缝替换与升级，提升用户体验。

收购GaN Systems让英飞凌更饱满

通过此次产品系列的推出，英飞凌旨在进一步强化CoolGaN™的品牌优势，并显著提升其在全球GaN器件市场供应链中的稳定供应能力。依托英飞凌自主研发的8英寸晶圆工艺精心制造，彰显了英飞凌在技术创新与产能提升上的坚定承诺。根据Yole Group的权威预测，GaN器件市场将迎来前所未有的增长机遇，预计未来五年将以惊人的46%年复合增长率持续扩张，而英飞凌正站在这一行业变革的前沿，引领未来。

通过收购GaN Systems，英飞凌不仅获得了GaN Systems丰富的产品线和技术专利，还极大地丰富了自身的物料品类。这使得英飞凌能够为客户提供更加全面、多样的氮化镓解决方案，满足不同行业、不同应用场景的需求。同时，英飞凌的IP储量也因此得到了显著提升，为其在氮化镓技术领域的持续创新提供了坚实的基础。

程文涛表示，GaN Systems在氮化镓技术领域的深厚积累为英飞凌打开了新的技术研发思路。双方研发资源的整合和应用人员的协作，产生了许多思想上的碰撞和灵感火花。双方的技术交流与合作，促进了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新。例如，英飞凌在收购后推出的CoolGaN系列新产品，就是双方技术融合与创新的成果体现。一方面，双方研发团队的合并使得英飞凌在氮化镓技术领域的研发力量得到了加强；另一方面，GaN Systems在市场推广方面的经验和资源也为英飞凌提供了新的助力。这使得英飞凌能够更快地推出符合市场需求的新产品，并迅速占领市场先机。

技术与市场的双重优势

英飞凌对GaN Systems的收购，无疑是其在氮化镓领域的一次重要布局。GaN Systems作为氮化镓领域的领军企业，拥有15年的技术积累和丰富的市场经验。通过此次收购，英飞凌不仅获得了GaN Systems在氮化镓器件和模块方面的专利技术和专业知识，还进一步丰富了其产品线，提高了在氮化镓领域的竞争力。

GaN Systems在大功率应用和封装方面的专长，与英飞凌在半导体制造和系统集成方面的优势形成了良好的互补。例如，GaN Systems的嵌入式芯片封装技术，通过去除焊线，实现了极低的电感，有利于GaN开关的快速开关速度。这种技术结合英飞凌在制造工艺和封装技术方面的积累，将进一步提升氮化镓器件的性能和可靠性。

关键词： 氮化镓 英飞凌 GaN Systems

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