三星否认HBM3E品质问题，声明巧妙回避
有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。
三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”
三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。
外媒Tom′s Hardware认为，三星虽然声称最新HBM产品可与多种处理器正常工作，但没明确说明能否与Nvidia所有处理器正常工作。Nvidia有多种GPU采用HBM3E存储器，包括H200及B200、B100和GB200，虽然都需要HBM3E存储器堆叠，但对功耗和散热要求不同。
因此该报导认为，三星HBM3E存储器可能非常适合H200、B200及AMD即将推出的Instinct MI350X，但可能无法满足Nvidia GB200要求。
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