电子产品世界

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。

XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C至175°C的宽温度范围，并提供一系列可选的器件和模块——包括高增益双极器件、标准和高电容密度MIM电容器、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型器件。

该平台搭载高可靠性汽车NVM解决方案，如嵌入式闪存（Eflash）、EEPROM和OTP，专为成本敏感型和稳健型汽车、工业及医疗应用而设计。

除了新推出的40V/60V器件外，该平台还加入了5.3V齐纳二极管，进一步提升其性能。此款全新低漏电流的齐纳二极管专为关键应用中的栅氧提供有效保护，如宽带隙栅极驱动器应用等。此外，其还提供一系列最高电压高达24V的新型隔离漏极高压器件和中阈值电压选项的1.8V MOS器件。

X-FAB高压产品线经理Tilman Metzger表示：“我们XP018平台的此次升级，展现X-FAB致力于加强成熟技术方面的决心。XP018平台已投产超过十年，并且仍然在汽车、工业和医疗等我们重点关注细分市场领域的新设计中得到广泛应用。这些极具竞争力的高压器件及其更新将使我们的客户能够打造更具创新性和成本效益的产品。采用全新XP018基础器件的设计人员可以获得Cadence、Siemens EDA、Synopsys等各主要EDA平台全面的PDK支持，确保在各类应用中实现无缝集成与优化。”

全新中阈值标准单元库预计将于2024年第三季度发布。

缩略语：

CMOS   互补金属氧化物半导体

DMOS   双扩散金属氧化物半导体

PDK   工艺设计套件

RDSon   导通电阻

SOA   安全工作区

SOI   绝缘体上硅

关键词： X-FAB 180纳米 高压CMOS 代工

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