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日月光投控21日宣布VIPack平台先进互连技术的最新进展，透过微凸块 (microbump) 技术将芯片与晶圆互连间距的制程能力由40um（微米）提升到20um，满足AI应用于多样化小芯片（chiplet）整合需求。

日月光先前指出，今年先进封装相关营收可望较去年翻倍成长，市场法人更看好，日月光在先进封装技术持续推进，有利未来几年在先进封装营收比重快速拉升。

日月光抢布先进封装，该公司表示，AI相关高阶先进封装将从现有客户收入翻倍，今年日月光在先进封装与测试营收占比上更高。

市场法人估计，日月光今年相关营收增加可望达2.5亿美元以上，成长动能将持续，除了受惠高阶先进封装，日月光也将受惠主流封装因应AI生态系统成长的半导体芯片需求。

日月光强调，这种先进互连解决方案，对于在新一代的垂直整合，例如日月光 VIPack平台2.5D和3D封装与2D并排解决方案中实现创造力和微缩至关重要。

日月光也指出，随着小芯片设计方法加速进化，该公司先进互连技术使设计人员能够有创新的高密度小芯片整合选项，微凸块技术使用新型金属迭层 （metallurgical stack），将间距从40um减少到20um。

微凸块技术进步扩展现有的硅与硅互连能力，此技术更有助于促进其他开发活动，从而进一步缩小间距。

日月光补充，当针对系统单芯片（SoC）进行小芯片或IP区块解构（disaggregation）时，区块间可能存在大量连接，小尺寸IP区块往往会导致许多空间受限的连接，微间距互连技术可以实现3D整合及更高密度的高IO内存（high IO memory）。

AI快速增长，日月光提供先进互连创新技术，满足复杂芯片设计及系统架构要求，降低制造成本并加快上市时间。芯片级互连技术的扩展为小芯片开辟更多应用，不仅针对AI等高阶应用，也扩及手机应用处理器（mobile AP）以及微控制器等其他关键产品。

关键词： 日月光 小芯片互连 AI

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