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3D 内存相关
铠侠公布蓝图:2027年实现1000层3D NAND堆叠
网络与存储
2024-07-01
美光预计爱达荷州、纽约州新晶圆厂分别于 2027、2028 财年投运
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2024-06-28
三星 Q3内存喊涨15~20%
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2024-06-27
SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破:良品率已达56.1%
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2024-06-26
西门子推出Calibre 3DThermal软件,持续布局3D IC市场
2024-06-25
内存市场将迎来「超级周期」,产业资本的饕餮盛宴
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2024-06-20
有望改变 AI 半导体规则,消息称三星电子年内将推出 HBM 三维封装技术 SAINT-D
2024-06-18
中国台湾AI关键组件的发展现况与布局
2024-06-13
美光:GDDR7内存已正式送样
网络与存储
2024-06-07
DDR6内存新标准将上线
网络与存储
2024-06-06
NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU:3nm工艺配下代HBM4内存
2024-06-03
南亚科技:首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产
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2024-05-30
整合计算和高速缓存功能,SK 海力士探索 HBM4E 新封装方案
网络与存储
2024-05-29
存储龙头计划兴建新工厂!
国际视野
2024-05-29
三星否认HBM3E品质问题,声明巧妙回避
网络与存储
2024-05-28
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