新型存储技术迎制程突破
近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。
基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，eMRAM被寄予厚望。
三星电子是eMRAM主要生产商之一，致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。三星于2019年开发并量产业界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM，具备28nm eMRAM生产能力之后，另据媒体报道，三星还计划2024年量产14nm eMRAM，2026年量产8nm eMRAM，2027年量产5nm eMRAM。
三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。
近年，大数据、人工智能等应用不断普及，带来了海量存储需求，同时也对存储技术提出了更高要求，于是新型存储技术不断涌现，其中SCM（Storage Class Memory）是具有代表性的技术，它结合了DRAM和闪存的特点，具有DRAM的高速读写性能，又拥有NAND闪存的持久存储能力，有望解决DRAM存储器容量小、易失性和高成本等问题，产品主要包含相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、磁阻存储器（MRAM）和纳米管RAM（NRAM）等。
除了三星之外，今年以来铠侠、字节跳动等公司也在新型存储领域有所动作。4月，铠侠CTO宫岛英史对外表示，与同时运营NAND和DRAM的竞争对手相比，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，有必要培育SCM（Storage Class Memory）等新型存储产品业务。为发力先进存储技术，铠侠还将“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。
3月媒体报道，字节跳动投资国内存储芯片公司昕原半导体，成为该公司的第三大股东。资料显示，昕原半导体专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发，产品涵盖高性能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系统级存储（System-on-Memory, SoM）芯片三大应用领域。
AI浪潮之下，高容量、高性能存储产品重要性不断凸显，HBM无疑是当前最受关注的产品，市况供不应求，产值持续攀升。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询此前预计，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。同时，新型存储技术也不断涌现，3D DRAM时代即将开启；SCM潜力即将释放，PCIe 6.0/7.0蓄势待发…
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