3D NAND,1000层竞争加速

网络与存储 时间:2024-04-09来源:全球半导体观察

据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。

众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。

自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯片层数上。随着3D堆叠时代的到来,在三星、铠侠、SK海力士等存储厂商的不断推动下,NAND Flash闪存堆叠层数不断被刷新。

目前,各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层,并持续向更高层数的NAND Flash迈进,其中三星和铠侠更是将目标瞄准1000层。根据此前的消息,三星计划在2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层),2030年前实现1000层NAND Flash。

NAND Flash价格回涨

受消费电子市场需求不振、市场经济逆风等因素影响,存储器产业经过了较为漫长的低迷时期。其中NAND Flash产品合约价自2022年第三季开始连续四个季度下跌,直到2023年第三季开始起涨。随后,自2023年第四季度开始,存储器市场开始逐渐反弹,NAND Flash价格也开始回涨。

市场研究机构TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。

从各品类来看,集邦咨询预估,2024年第二季度,Enterprise SSD合约价涨幅为全线产品最高,季增20~25%;eMMC、UFS、Client SSD合约价将分别季增10~15%,NAND Flash Wafer涨幅则较第一季大幅收敛,预估季增5~10%。


关键词: NAND Flash 存储芯片 铠侠

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