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　　当IF等于0mA时，驱动器输入为低，会从负载汲入电流。正dv/dt会从放大器拉出电流，并可能导致放大器从低过渡到高。负dv/dt会将电流引入放大器，并协助维持放大器维持输出为低状态。

　　一般情况下，儘量减少逻辑控制和功率半导体之间的耦合电容，可大幅度降低共模杂讯瞬变成为正常模式脉衝杂讯的能力。于驱动点使用低且平衡的阻抗，可提高抗干扰能力，使用电化隔离（Galvanic Isolated）驱动器进行功率MOSFET控制，可将共模杂讯耦合降至最低。

　　分流LED提升半桥配置效能

　　半桥拓扑配置中，共模瞬变抑制尤其重要，因为正常电流工作状态下的开关瞬变，可能导致关闭的闸极驱动打开。分流（Shunt）LED即可派上用场，可提升半桥配置的抗电流模式瞬变能力，并将包电容的负载dv/dt耦合维持于低阻抗--对于正在运行的LED或正在运行的BJT或逻辑闸的开态电阻。但此作法的缺点是，增加分流LED驱动会降低效率，因为无论LED开启还是关闭，此电路皆会消耗电量。图5为一个配置样本。

　　图5 带有分流LED驱动的光耦合器架构

　　LED与驱动开关并联，以形成电流分流驱动。U1是一个开路洩极逻辑闸，做为一个驱动器。当开关关闭且U1为高时，会有LED电流经过。若要关闭LED，须将闸强制变为低状态，这会将经过LED的电压降低至小于所需的正向电压值。它还能提供低阻抗，降低共模传导电流对LED运行的影响。

　　了解光耦合器最大开关频率

　　使用光耦合器时，了解设计的最大开关频率会非常有用，此项计算涉及两个基本步骤，首先必须确定于最大工作结温125℃和室温100℃下，光耦合器输出驱动器MOSFET可扩散的最大功率。其次，确定于给定MOSFET闸极的充电和放电电流情况下，输出电晶体的扩散RMS功率，以及整个光耦合器电晶体的RDS（ON）压降。

　　太阳能逆变器在产生和传输乾净与永续能源方面，发挥重要作用。执行DC-AC转换时，须对高压电流进行谨慎、有效的隔离，而光耦合器正适用于此种功率缓衝。如果特别注意启动要求和使用相关技术提高抗干扰能力，则可协助优化光耦合器的性能。

　　本文文中描述的闸极驱动光耦合器，与离散式功率MOSFET和IGBT的产品相容，因此，设计人员可统一设计电力转换电路的逻辑、隔离和MOSFET部分。该解决方案可将毫瓦（mW）转换成kW，并同时提供初级和次级电路之间的隔离。

关键词： 光耦合器 PV逆变器