浅谈如何利用光耦合器提高PV逆变器的性能
图3 光耦合器方块图
设定好电源开启的顺序，可儘量减小等待光耦合器偏压电源稳定所造成的影响。太阳能逆变器通常有叁个电源，一个逻辑电源（3.3、5或10V）、光耦合器电源，以及一个高压电源对MOSFET/IGBT供电。按照电源排列顺序依次开启，首先逻辑电源，然后光耦合器电源，最后是MOSFET/IGBT电源。如此一来，有助于抵消稳定偏压电源造成的影响。这样的开启顺序，亦满足逻辑控制的上电復位（Power-on Reset）和隔离驱动器电源的靴带式（Boostrap）充电时间。
对于LED驱动器，正向电流峰值IF《1A（1微秒（μs），300pps）。建议的工作电流是10？16毫安培（mA）。电流上升时间小于250奈秒（ns），这样的特性可儘量降低传输延时，并减少输出开关抖动。
高增益（23dB）、高功率输出的光学放大器，需要一个超过直流範围，高达40MHz的低阻抗电源；使用低ESR旁路电容和讯号地平面，可协助降低自发电源杂讯，并防止输出上升和下降时间的消煺。
共模抑制为衡量杂讯指标
高频瞬变为杂讯的一种，可能会损坏光耦合器的隔离屏障的资料传输。CMR係对光耦合器抵御瞬变杂讯能力的衡量标準。CMR为衡量光耦合器性能的最重要指标之一，其他指标还有隔离等级和工作电压等。
八接脚DIP共面（Coplanar）结构的光耦合器，可提供输出电容高电介质（Dielectric）绝缘和低输入。八接脚DIP封装允许大于8毫米（mm）的沿面和间隙距离及0.5mm绝缘距离，以实现可靠的高电压绝缘。
因此，闸极驱动器光耦合器解决方案，可提供更多的绝缘安全缓衝区，而电容性或电感式解决方案的绝缘距离不到0.1mm。如此一来，优化安全并降低杂讯耦合。这装置採用共面光学耦合技术，以阻挡由负载切换产生的电子杂讯所引起的干扰。而且还有一个特殊电光学遮罩，可降低开关瞬态和光耦合器的主动电路之间发生电容耦合的机率。
一般240V交流电源转换器会产生800V开关瞬态，以及大于6kV/μs的转动率。此大幅度的瞬态，会导致3mA峰值电流于输入和输出之间流动（用于CIO只有0.5皮法（pF）的隔离设备时）。图4显示一则範例，一个电容耦合了耦合器的输入和输出之间的杂讯电流。
图4 电流模式抑制LED「OFF」
共模瞬变具有负的电压摆动率，与耦合器的输出接地（GND2）引用一样；该瞬态可将耦合器的输出牵引到输出；包电容（Package Capacitance）即CIO，提供输入和输出之间的主要耦合阻抗；当LED关闭时，闸极的输出为低状态；如果有充裕的共模电流iCM从输入端牵引到光学放大器，放大器则会开启。
杂讯电流iCM为极小，因为有特殊共模遮罩可阻挡电子遮罩变化造成的影响，该遮罩会最小化流入或流出光学放大器的耦合，将有效的共模耦合电容限制到小于50pF。如此一来，光耦合器能轻鬆抑制最大幅度为1.5kV放入正或负的共模瞬变，以及超过15kV/μs的转动率。
当通过LED，IF的控制电流等于10mA时，驱动器输出电流为高，源电流流向负载。正dv/dt会从放大器中牵引出电流，增强光电流；负dv/dt会将电流引向放大器，抵销光电流，并可能导致放大器
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