基于TSC控制技术的可控硅开关分析
2．2 电抗器的选择
关于串联电抗器的选择，GB 50227—1995《并列电容器装置设计规范》规定中第5．5．2．2条“用于抑制谐波，当并列电容器装置接入电网处的背景谐波为5次及以上时，宜取4．4％～6％”，当并列电容器装置接入电网处的背景谐波为3次及以上时，宜取12％。
综上可知电抗器的电抗率k为
wL=k／wC (2)
即
k=w2LC (3)
3 实验分析
从图2可以看出，消弧线圈二次侧额定电压为220 V。一般情况下，不仅是可控硅，包括所有的高压设备，在选型时都需留有一定的裕度，应至少取峰值的3倍。因此可得出应选晶闸管的额定电压为220××3≈1 000 V。文中在此选择额定电压为1 600 V的可控硅。
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