浅谈如何实现开关频率控制、负载和线路电压优化
图2显示出：
-当导电损耗较高或处在相同范围时，频率反走技术增加了损耗（棕色迹线）。当大的均方根电流在转换器中环流时，如当PFC段处在重负载、低线路电压条件下，就出现这种情况。
-当导电损耗略小于开关损耗时，就需要有限程度地降低频率。但程度必须有限。否则，就完全泯灭了在开关损耗方面的好处，或者是无法针对导电损耗增加（绿色及紫色迹线）提供补偿。这种情况与线路及负载条件相对应，导致转换器流动中等的电流……
-当导电损耗相对于开关损耗极低时（蓝色及橙色迹线），频率反走大幅降低总体损耗。然后，在线路电流较小的条件下，必须降低开关频率。
应当注意的是，频率反走技术带给MOSFET开关损耗的好处被低估了DCM开关损耗为将CrM开关损耗最少。
实验数据
下述数据是使用以NCP1631（见参考资料［2］）驱动的两相交错式PFC段获得的。此控制器采用频率钳位临界导电模式（FCCrM）工作，还具有频率反走功能。但应当指出的是，与CCFF（见下一段）相比，频率钳位并不取决于电流电平，而是在电流半正矢波范围内给定功率条件下保持恒定。图3显示了NCP1631 300 W评估板在施加了115 Vrms输入电压、10%、20%及50%负载条件下的能效。调节电路的反走特性以测量20%负载条件下三种不同工作频率时的能效，并考虑测量其它两种负载工作条件下两种不同工作点时的能效。下面的数据印证了轻载条件下频率下降时能效提升，且在负载较重时开关频率逐渐减小的情况下能效降低。
电流控制频率反走（CCFF）
沿袭这些能效考虑因素，安森美半导体推出了采用所谓的电流控制频率反走（CCFF）技术以驱动 PFC升压段的NCP1611和NCP1612 PFC控制器。在CCFF模式下，当线路电流超过设定点时，PFC段采用传统CrM工作。相反，当电流低于此预设值时，在线路电流降低到0时，开关频率下降到约20 kHz（见参考资料［3］和［4］）。
实际上，这些控制器监测线路电压以构建线路电流的信号表征。内部计算产生一个电流，此电流结合外部电
对CrM PFC升压段的开关频率进行钳位通常导致线路电流失真，因为传统电流波形原理假定采用CrM工作这种传统局限在NCP1611和NCP1612中得到了克服，其方式跟安森美半导体的FCCrM电路类似（如NCP1605）：集成了一个电路（称为VTON处理模块）来调制导通时间，以补偿存在的死区时间。此模块基于积分器（详情参见产品数据表），在对开关纹波进行了恰当滤波的条件下，其时间常数接近100 μs.
如图5所示，在大线路电流条件下，CCFF升压段倾向于采用CrM工作；随着线路电流减小，控制器采用不连续导电模式（DCM）工作。通过这种方式，即使在DCM条件下，MOSFET导通时间被延长，直至MOSFET漏极-源极电压位于谷底以提供最佳节能效果。
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