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　　高边FET导通后;向Cds2充电/Cds1放电，输出达到正电源电压。FET关断时;由于电容无放电回路(Q2断)，电容电压保持不变，Q1零压管断(无弥勒效应)。Q1关后;仍由于电容做用而不承受电压。

　　用正驱动脉冲开启Q2，当栅电压达到门坎时;Q2开始通。Cds2短路放电;Cds1充电。显然;Q2是硬开通。Q1此时开始实质性承受电压。由于Cdg1的充电;导致在Q1驱动栅电阻上产生电压。当感应电压达到门坎时;Q1/Q2瞬间发生上下直通。

　　半个周期描述结束，在此思考下半个周期的工作过程。

　　低端的管子是硬开通软关断;高端皆然。这里引用网友helen闸的实测波形，供大家讨论。注意：“ON”是;有明显的弥勒效应平台，“OFF”时;没有。(电源网原创转载注明出处)

关键词： 要求 驱动 负载 图解