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　本次主要想探讨阻性/感性/容性/电流型负载对驱动的要求，与大家分享，请网友看看有何不足，先看一个图吧，FET的等效模型是：

　　用它做成的半桥;就成了这样的一个电路：

　　空载开关时;电路变成这两个工作模式：

　　上图是高边开关;低扁关断状态。下图是低边开关;高边关断状态。两个状态组成一完整开关周期。这个现象会导致半、全桥空载时发热。它不仅发生在开路状态;而且还会发生在容性负载和硬开关电路里。适当的控制“开”的速度;防制上下之通是必要的。

　　高端FET开关状态下;导通再关闭后，由于CDS1、CDS2的电容储能，Q1关断;输出仍为+Vbus。此时;Q1栅电压为0V，但是;Q1并没因此而承受电压。即Q1是零电压关断;关断过程;栅电压没有平台!没有弥勒效应区!经过一段死区时间后;低端FET导通，此时此刻;高端早已关断的FET的D-S终于承受了电压!虽然是空载;但在这过程中发生了一系列的电压电流变化，看图解!

关键词： 要求 驱动 负载 图解