基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
在上述结构的基础上加上偏置电路，并对电路结构进行优化调整，即可得到完整电路结构。本文所实现的电路结构如图2所示。
图2 LNA电路图
晶体管M1和M2构成Cascode结构，由于此结构没有考虑共源极和共栅极之间的匹配，所以在M1和M2之间加上电感Lm，可以提高两级间的匹配[7]，这样不仅提高了功率增益，而且噪声系数也可以得到改善[8]。同时在M1的栅源之间并联一个电容C2，用来调节栅源之间的电容Cgs，方便与Lg和Ls一起来实现输入阻抗的匹配。
晶体管M3、M4和M1、M2共同组成共源共栅电流镜[9]，作为偏置电路，且M3和M4的宽度相对应取较小的值，以减小偏置电路消耗的电流。电阻R2应取足够大以减小偏置电路带来的噪声电流，电阻R1用来调整输入晶体管M1的栅源电压和漏极电流以确定静态功耗，电容C1可以使得M2的栅极交流接电源电压。Cin与Cout均为隔直电容。
3 LNA性能优化
3.1 输入输出匹配
带源极负反馈的LNA输入端的小信号等效电路如图3所示，其中gm是M1的跨导，Cgs是M1的栅源电容Cgs1和C2并联得到的。
图3 源极负反馈结构的小信号等效电路
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