功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
作者：安森美半导体 Francois LHERMITE
时间：2008-04-01来源：电子产品世界
Crss电容表示共源极配置中的短路反向传输电容。此参数表示了功率MOSFET在反激式SMPS的关断阶段中的状态。
典型应用
作为典型实例，谐振频率在500kHz的范围内，从漏极平台到谷点的电压变化为100V。根据式3，一般栅极电流峰-峰值幅度的大小是10mA。负值部分的范围是5mA。
Crss值随着功率MOSFET生产商的不同而变化。对最常用的功率MOSFET所做的调查显示，Crss在10pF和100pF之间变化。
另一方面，漏极上的总电容越大，谐振频率就越低。经过适当的折衷，将在变化中流进栅极的电流选为30mA峰-峰值以对应15mA正负电流。
仿真
图5显示了采用简化功率MOS模型的混合驱动。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码