功率开关寄生电容用于磁芯去磁检测(04-100)
作者：安森美半导体 Francois LHERMITE
时间：2008-04-01来源：电子产品世界
施加到电容上的电压源提供对电压有负90°相移的电流。所以当电流上升到零点时，电压便对应于其峰值。所述的Soxyless技术包含检测正栅极电流的过零检测器(ZCD)以确定“谷点”的出现。
本文将从SMPS初级侧接地点流出的电流通过下部栅极驱动器流向功率MOSFET栅极的方向定义为负。
在半导体技术中，驱动并测量这样的负电流并非易事。
功率MOS栅极上产生的电流与漏极电压和电容之间的关系可表述成如下：
其中Zc为电容阻抗：
此栅极电流的大小取决于MOSFET、谐振频率F和在平坦电压末端漏极上的电压摆幅(Vring)。
谷点发生在谐振周期的一半处：
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