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本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基本概念。


§1 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD

本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLA
S来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基
本概念。

1.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真


1.1.1 概述

本节介绍用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括：
a. 创建一个好的仿真网格
b. 演示淀积操作
c. 演示几何刻蚀操作
d. 氧化、扩散、退火以及离子注入
e. 结构操作
f. 保存和加载结构信息

1.1.2 创建一个初始结构


1 定义初始直角网格
a. 输入UNIX命令： deckbuild-
an&，以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会
出现。如图1.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口；


[pic]
图1.1 清空文本窗口

b. 在如图1.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ；
[pic]
图1.2 以“go athena”开始

接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有

关键词： silvaco   设计   仿真   mos