【SI4848DY-T1-E3&100-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
上传用户:VBsemi
上传日期:2024-03-05
文件类型:PDF
文件大小:518.17K
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### 产品详细参数说明
- **型号:** SI4848DY-T1-E3&100-VB
- **丝印:** VBA1158N
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOP8
#### 参数:
- **沟道类型:** N—Channel
- **最大沟道电压:** 150V
- **最大持续电流:** 5.4A
- **导通电阻:** RDS(ON)=80mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=2V
### 应用简介
该产品是一款SOP8封装的N-沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有高电压承受能力和低导通电阻,适用于要求高性能的电源和开关电路设计。
### 产品应用领域
1. **电源模块:** 适用于高压电源开关模块,提供可靠的高压输出。
2. **电机控制:** 可用于电机驱动模块,如电动汽车、电动工具等,实现高效的电机控制。
3. **电源开关:** 在需要高压开关的电源系统中发挥作用,提高系统的性能和效率。
4. **照明控制:** 适用于需要高压输出的LED照明系统,提高照明效果和稳定性。
### 使用注意事项
1. **电压限制:** 确保工作电压不超过150V,以防止损坏器件。
2. **电流控制:** 在规定的电流范围内使用,避免超过最大持续电流,以防止过热。
3. **温度控制:** 确保在规定的温度范围内使用,以维持器件的性能和寿命。
4. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,避免静电损害。
5. **阈值电压:** 注意阈值电压范围,确保在适当的电压条件下使用。
通过合理应用和注意事项的遵守,SI4848DY-T1-E3&100-VB可在各种高压电源、电机控制和LED照明系统中发挥关键作用,提高系统性能和效率。
- **型号:** SI4848DY-T1-E3&100-VB
- **丝印:** VBA1158N
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOP8
#### 参数:
- **沟道类型:** N—Channel
- **最大沟道电压:** 150V
- **最大持续电流:** 5.4A
- **导通电阻:** RDS(ON)=80mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=2V
### 应用简介
该产品是一款SOP8封装的N-沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有高电压承受能力和低导通电阻,适用于要求高性能的电源和开关电路设计。
### 产品应用领域
1. **电源模块:** 适用于高压电源开关模块,提供可靠的高压输出。
2. **电机控制:** 可用于电机驱动模块,如电动汽车、电动工具等,实现高效的电机控制。
3. **电源开关:** 在需要高压开关的电源系统中发挥作用,提高系统的性能和效率。
4. **照明控制:** 适用于需要高压输出的LED照明系统,提高照明效果和稳定性。
### 使用注意事项
1. **电压限制:** 确保工作电压不超过150V,以防止损坏器件。
2. **电流控制:** 在规定的电流范围内使用,避免超过最大持续电流,以防止过热。
3. **温度控制:** 确保在规定的温度范围内使用,以维持器件的性能和寿命。
4. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,避免静电损害。
5. **阈值电压:** 注意阈值电压范围,确保在适当的电压条件下使用。
通过合理应用和注意事项的遵守,SI4848DY-T1-E3&100-VB可在各种高压电源、电机控制和LED照明系统中发挥关键作用,提高系统性能和效率。
关键词: SI4848DY-T1-E3&100 mosfet vbsemi
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