有效测量碳化硅(SiC) 功率电子系统中的信号

  上传用户:nakey 上传日期:2022-04-02 文件类型:PDF
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在多年研究和设计之后,碳化硅 (SiC) 功率器件正迅速被各种功率电子应用所采用。从硅转向 SiC,正从底层推动着新节能设计的发展。
与硅 IGBTs 和 MOSFETs 相比,SiC 效率更高,开关速度更快,同时改善了热性能,进而提高了功率密度,降低了系统成本。
SiC 正在被应用到功率更高、电压更高的设计中,比如电动汽车 (EV) 的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、车载和非车载充电器、风能和太阳能逆变器和工控电源。
作为技术成熟的标志,JEDEC 标准 JC-70.2 中已经编制了 SiC 技术在电源转换设计中的实现文档,制定了 SiC 功率电子转换半导体标准和测试方法。
技术成熟的另一个标志,是许多 SiC FET 供应商推出了先进的评测电路板,比如 Wolfspeed WolfPACK™KIT-CRD-CIL12N-FMC。通过使用这些电路板,工程师可以表征动态性能,测量定时、速度、开关损耗,并针对不同应用调谐门驱动器行为。

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