泰克 IsoVu 测量系统帮助松下半导体明显缩短新型 GaN 器件的开发时间
上传用户：nakey
上传日期：2022-04-02
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开创全新功率器件应用
高效率低功耗的功率器件对马达控制电路和开关式电源等应用必不可少，对处理高功率和高电压 / 高电流也不可或缺。
直到最近，功率 MOSFET 和 IGBT ( 绝缘栅双极晶体管 ) 器件一直主要基于硅。而复合半导体正作为一种功率器件材料迅
速引起人们的关注，特别是氮化镓 (GaN) 和 SiC。与硅相比，GaN 和 SiC 拥有大量的优势，包括：
/ 宽禁带，高电介质击穿电压，高工作温度
/ 高压功能，低导通电阻
/ 芯片尺寸更小
/ 能够在高速度、高频率下工作
高效率低功耗的功率器件对马达控制电路和开关式电源等应用必不可少，对处理高功率和高电压 / 高电流也不可或缺。
直到最近，功率 MOSFET 和 IGBT ( 绝缘栅双极晶体管 ) 器件一直主要基于硅。而复合半导体正作为一种功率器件材料迅
速引起人们的关注，特别是氮化镓 (GaN) 和 SiC。与硅相比，GaN 和 SiC 拥有大量的优势，包括：
/ 宽禁带，高电介质击穿电压，高工作温度
/ 高压功能，低导通电阻
/ 芯片尺寸更小
/ 能够在高速度、高频率下工作
关键词： 泰克 IsoVu 松下半导体 GaN
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