碳化硅（SiC）MOS
上传用户：Ewyas
上传日期：2022-03-25
文件类型：PDF
文件大小：1258.98K
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SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
关键词： 新能源 光伏逆变器 车载OBC 动力电池化成分容
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