电子产品世界

智能手机代表了个人通信最前沿、也最具挑战性的射频产品设计。 随着智能手机版本的演进和WCDMA与3GPP长期演进(LTE)标准的采纳，工作频段可能增加到10个或11个。在小型设备中能支持如此多频段和工作模式的关键元件之一是射频(RF)开关，这种开关在智能手机的整个前端电路中有多种使用方式。一般最简单的开关模式是单刀双掷开关主体结构，如下图1所示。

图1 单刀双掷开关电路主体结构

英飞凌的MOS射频开关BGS12AL7-6适用于30M~3G的超宽频段的应用，采用单刀双掷的设计方式，提高应用的灵活性。其芯片提供一个内部集成的以TTL或CMOS电平做为控制输入信号的逻辑驱动芯片，由于该开关的输入信号1db压缩点大于21dbm，因此在不同的信号电平下能提供优越的线性性能。

另外，开关在1Ghz频段下具有0.4db的低插损，在2Ghz频段下具有0.5db的低插损，跟砷化镓技术不同，若其外部提供直流电压，则只需在RF端口添加隔电容就行。

BGS12AL7-6 RF射频开关使用英飞凌的MOS专利技术制造，将传统CMOS和集更高等级的静电保护鲁棒集成，提供优越性能和经济效益，其内部结构如图所示：

图2 BGS12AL7-6 RF射频开关内部结构图

总体来说，其具备低插损、端口与端口之间高隔离度、低谐波产生、仅需一根控制信号线的单片逻辑控制、高等级的静电保护、无需额外的器件、能应用于3Ghz频段、TSLP-7-6小封装、铅和卤素封装等方面的优势。适用于当前手机射频电路，天线开关调谐电路等，多频段、低插损等应用中。开关插损低，有助于降低PA输出功率，较少非线性的影响，提高语音及上网速度。

关键词： BGS12AL7-6 低插损射频开关 射频设计