还分不清结型场效应管与绝缘栅?看这一文就够了,图表展现

时间:2024-08-01来源:李工谈元器件

JFET 与 MOSFET的区别

JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于,通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导,而在 MOSFET 中,导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。

JFET 与 MOSFET的区别

两者之间的下一个关键区别是,JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小,因为后者嵌入了绝缘体,因此漏电流更少。

JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具,具有低漏极电阻,而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”,可以在耗尽模式和增强模式下工作并具有高漏极电阻。

接下来简单的介绍一下JFET 与 MOSFET。

什么是JFET ?

JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写,由栅极、源极和漏极 3 个端子组成。

在 JFET 中,电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。

JFET基本上有两种类型,基本上是N沟道和P沟道。

施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极。因此,从漏极流向源极的电流称为漏极电流 I D。

当栅极端子相对于源极为负时,耗尽区的宽度增加。因此,与无偏置条件相比,允许较少数量的电子从源极移动到漏极。

JFET图

随着施加更多的负栅极电压,耗尽区的宽度将进一步增加。因此,达到了完全切断漏极电流的条件。

JFET 具有更长的寿命和更高的效率。

什么是MOSFET?

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写。在这里,器件的电导率也根据施加的电压而变化。

MOSFET有两种类型:耗尽型MOSFET和增强型 MOSFET

在耗尽型 MOSFET 中间存在预先构建的沟道。因此,施加的栅源电压将器件切换到关闭状态。

耗尽型 MOSFET 图

相反,在增强型MOSFET中,不存在任何预先构建的沟道。在这里,传导开始于通过施加的电压创建通道。

增强型MOSFET

在 D-MOS 中,负施加的栅极电位增加了沟道电阻,从而降低了漏极电流。相反,在 E-MOS 中,其工作需要大的正栅极电压。

结型场效应管与绝缘栅的区别?

结型场效应管与绝缘栅的区别

关键词: 结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计

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