世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案
安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。
数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以帮助您为下一个产品设计做出决定。
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的效能和高功率密度来实现电源转换。其效能高于当今的硅基方案,轻松超过服务器和云资料中心最严格的80+规范或 USB PD 外部适配器的欧盟行为准则 Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想,可快速、低损耗开关,但GaN器件更接近这些需求及应用。不过GaN元件在某些方面又不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,为了充分发挥该技术的潜在优势,外部驱动电路必须与 GaN 器件匹配显得极为重要。对于给予正确的闸极驱动方式来实现最佳性能和可靠性。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
GaN驱动器对性能至关重要,驱动器使驱动电压保持在电压最大限值内并不是唯一的要求。对于快速开关,虽然 GaN 也有闸极电容的特性,但在闸极的有效串联电阻和驱动器中功率被耗散。因此,使电压摆幅保持最小很重要,特别是在频率很高的情况下。通常,对于 GaN 来说,Qg约是几nC,约是类似Si_Mos的十分之一-这也是 GaN 能够如此快速开关的原因之一。GaN 元件是由电荷控制的,因此对于nS等级的开关速度,必须由驱动器快速提供并同时保持精确稳定的电压。理论上,GaN 器件在 VGS = 0安全关断,但在现实世界中,即使是最好的门极驱动器,直接施加到门极的电压也不可能是0V。在闸极驱动回路中的任何串联电感L都会对闸极驱动器产生相反的电压,这会导致GAN元件的假开关动作。一种解决方案是提供一个负门极关断电压,可能-2或-3V,但这使门极驱动电路更加复杂。
在所有应用中,layout是成功的关键。下图显示了一个采用安森美半导体的 NCP51820的示例 layout布局,微型化并匹配门驱动回路。GaN 器件和驱动器被置于PCB同侧,通过适当地使用接地/返回面来避免大电流通孔。
►场景应用图
►展示板照片
►方案方块图
►NCP51820标准驱动线路
►核心技术优势
· NCP51820
NCP51820高速栅极驱动器用于满足严格的驱动增强模式(e-mode),高电子迁移率电晶体(HEMT)和栅极注入电晶体(GIT),氮化镓(GaN)电源开关的要求。
NCP51820通过先进的技术提供短而匹配的传播延迟,为高端驱动器提供−3.5 V至+650 V(典型值)共模电压范围,为低端驱动器提供−3.5 V至+3.5 V共模电压范围驱动能力。
此外,该器件还为高速开关应用中的两个驱动器输出级提供高达200 V / ns的稳定dV / dt操作。
为了充分保护GaN功率电晶体的栅极免受过大的电压应力,两个驱动级均采用专用的电压调节器来精确维持栅极-源极驱动信号的幅度。
该电路可主动调节驱动器的偏置轨,从而在各种工作条件下防止潜在的栅源过电压。
NCP51820提供重要的保护功能,例如独立的欠压锁定(UVLO),监视VDD偏置电压以及VDDH和VDDL驱动器偏置以及基于器件裸片结温的热关断功能。
可程式设计死区时间控制可以配置为防止交叉传导。
· NCP1616
NCP1616是一款高压PFC控制器,旨在基于创新的电流控制频率折返(CCFF)方法来驱动PFC升压级。在这种模式下,当电感器电流超过可程式设计值时,电路将以临界导通模式(CrM)工作。当电流低于此预设水准时,NCP1616在正弦过零处将频率线性衰减至最低约26 kHz。CCFF使额定负载和轻负载下的效率最大化。特别地,待机损耗被减小到最小。即使降低了开关频率,创新的电路也允许接近−单位的功率因数。
集成的高压启动电路消除了对外部启动元件的需求,并且在正常工作期间功耗可忽略不计。NCP1616封装在SOIC-9封装中,具有坚固,紧凑的PFC级所需的功能,几乎不需要外部元件。
· NCP13992
NCP13992是用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。该控制器实现600 V栅极驱动器,简化了布局并减少了外部组件数量。在需要PFC前级的应用中,NCP13992侦测PFC Vbulk电压的脚位,可控制IC在特定的电压范围内工作。当电压变化超过设定,会触发Brown−out保护。在空载运行期间NCP13992具有让PFC和LLC共用电阻分压器的方法,共用大容量电阻分压器,进一步降低空载的功率损耗。NCP13992提供了一系列保护功能,可在任何应用中安全运
►方案规格
· 输入电源:90 – 265 V
· 输出电源:19 V/ 18 A max(RMS)
· Efficiency:95%Load(230Vac), 0% Load<150 mW @ 230 Vrms
关键词: NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
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