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　　存储器共有13个寄存器，BANK0~BANK5只需要设置BWSCON和BANKCONx(x为0~5)两个寄存器;BANK6、BANK7外接SDRAM时，除了BWSCON和BANKCONx(x为6、7)外，还要设置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等4个寄存器。下面分类说明(“[y:x]”表示占据了寄存器的位x、x+1、……、y)：

　　1. 位宽和等待控制寄存器BWSCON(Bus Width & Wait Status Control Register)

　　BWSCON中每4位控制一个BANK，最高4位对应BANK7、接下来4位对应BANK6，依此类推。

　　(1)STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0;对于SRAM，此位为1。Determine SRAM for using UB/LB for bank x， 0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0])1 = Using UB/LB (The pins are dedicated nBE[3:0])。

　　(2)WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0。Determine WAIT status for bank x， 0 = WAIT disable 1 = WAIT enable。

　　(3)DWx：使用两位来设置相应BANK的位宽，0b00对应8位，0b01对应16位，0b10对应32位，0b11表示保留。

　　比较特殊的是BANK0，它没有ST0和WS0，DW0([2:1])只读——由硬件跳线来决定：0b01表示16位，0b10表示32位，BANK0只支持16、32两种位宽。The states are selected by OM[1:0] pins。

　　2. BANK控制寄存器BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER,x为0~5,(BANKCONx: nGCS0-nGCS5))

　　这几个寄存器用来控制BANK0~BANK5外接设备的访问时序，一般使用默认的0x0700即可。

　　3. BANK控制寄存器BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER,x为6~7,(BANKCONx: nGCS6-nGCS7))

　　在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM和SDRAM，所以BANKCON6~BANKCON7与BANKCON0~BANKCON5有点不同。

　　MT([16:15])Determine the memory type for bank6 and bank7。00 = ROM or SRAM，01 = Reserved (Do not use)，10 = Reserved(Do not use)，11 = Sync. DRAM。

　　当MT=0b00时，此寄存器与BANKCON0~BANKCON5类似，不再赘述。

　　当MT=0b11时，此寄存器其他值设置如下。

　　Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，设为推荐值0b01。

　　SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，00 = 8-bit;01 = 9-bit;10= 10-bit

　　4. 刷新控制寄存器REFRESH(REFRESH CONTROL REGISTER):设为0x008C0000+R_CNT

　　(1)REFEN([23]):0=禁止SDRAM的刷新功能，1=开启SDRAM的刷新功能。

　　(2)TREFMD([22]):SDRAM的刷新模式，0=Auto Refresh，1=Self Refresh(一般在系统休眠时使用)。

　　(3)Trp([21:20]):设为0即可。

　　(4)Tsrc([19:18]):设为默认值0b11即可。

　　(5)Refresh Counter([10:0])：即上述的R_CNT，可按如下方式计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：

　　R_CNT=2^11+1-SDRAM时钟频率(MHz)*SDRAM刷新频率(us)

　　Refresh period = (211-refresh_count+1)/HCLK

　　SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，例如HY57V561620B的数据手册上有这么一句话“8192 refresh cycles / 64ms”。所以，刷新周期=64ms/8192=7.8125us。

　　在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振的12MHz。

　　现在可以计算：R_CNT=2^11+1-12*7.8125=1955

　　所以，在未使用PLL时，REFRESH=0x008C0000+1955=0x008C07A3。

　　5. BANKSIZE寄存器REFRESH(BANKSIZE REGISTER)

　　(1)BURST_EN([7])

　　0=ARM核禁止突发传输，1=ARM核支持突发传输。

　　(2)SCKE_EN([5])

　　0=不使用SCKE信号SDRAM进入省电模式，1=使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式。

　　(3)SCLK_EN([4])

　　0=时刻发出SCLK信号，1=仅在访问SDRAM期间发出SCLK信号(推荐)。

　　(4)BK76MAP([2:0])

　　设置BANK7/6的大小。BANK0~5的地址空间大小都是固定的128MB，地址范围是(x*128M)到(x+1)*128-1，x表示0到5。BANK6/7的大小是可变的，以保持这两个地址的连续，即BANK7的起始地址会随它们的大小变化。BK76MAP的取值意义如下：

　　010 = 128MB/128MB;001 = 64MB/64MB;000 = 32M/32M;111 = 16M/16M;110 = 8M/8M;101 = 4M/4M;100 = 2M/2M

　　6. SDRAM模式设置寄存器MRSRBx(SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER，x为6~7)

　　能修改的只有位CL([6:4])，这是SDRAM时序的一个时间参数：

　　CAS latency 000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks

关键词： ARM SDRAM