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　　MRAM市场可能会在明年开始变得越来越“拥挤”──开发OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技术的美国业者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研发晶圆厂制作出仅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目标是在明年第一季开始提供其MRAM样品，并在2018年让产品正式上市。

　　STT执行长Barry Hoberman接受EE Times访问时表示，位于该公司总部的研发晶圆厂在其技术商业化过程中扮演了关键角色，而从今年初开始，STT已经达到了可处理超过40晶圆批次(wafer lots)的能力;他指出，为了最佳化开发周期：“我们已经为MRAM所需的磁性元件建造了完整的无尘室。”

　　MRAM这种新兴记忆体技术已经崛起好一段时间，目前Everspin Technologies是唯一推出商用产品的厂商;但尽管市场上供应商数量有限，Hoberman表示MRAM技术已经演进至第三代：“pMTJ就是目前的最新进展，而我们已经达成。”

　　STT的公司历史最早可追溯到2001年美国纽约大学(New York University)教授Andrew Kent所主导开发的一项研究，而该公司是在2007年正式成立，到目前为止已经募得1.08亿美元的资金，并成长为拥有60名员工的企业。

　　Hoberman指出，MRAM虽然在速度、功耗以及耐久性方面表现优异，但与其他记忆体如DRAM的一个关键差异，是pMTJ MRAM的写入为概略性(probabilistic)而非决定性(deterministic)，因此有一定程度的随机性(randomness)。这意味着当你将资料写入DRAM记忆体单元1兆次，就大概有1兆次的成功写入;但同样写入1兆次资料至pMTJ MRAM，则会有几次是失败的。

　　“那些失败的写入是随机出现，如何处理这种概略性，就是让MRAM达到所需的性能与可靠度之关键;”Hoberman表示，STT的目标是让pMTJ MRAM的概略性表现控制在恰当水准，以利用其专有的读写架构，达到更快的速度、更好的耐久性以及更低功耗。

　　

 

　　STT的目标是让pMTJ MRAM的概略性表现控制在恰当水准

　　STT看好MRAM的两大主流应用──企业用储存，以及包括汽车与手机显示等嵌入式应用;Hoberman表示，该公司也将开发独立MRAM元件，并将技术授权给晶圆代工业者。市场研究机构Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示，STT在技术开发脚步上虽然稍嫌落后，但因为自有晶圆厂，可望能很快赶上竞争对手。

关键词： STT MRAM