解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节

时间:2012-05-28来源:网络

图2:16Gbit闪存的多晶硅电容结构,图中显示了低位板接头。IMFT的4G、16Gbit NAND闪存

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图3:IMFT的16Gbit MLC闪存的金属层2和层3采用铜双镶嵌工艺,金属层1采用钨双镶嵌工艺

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关键词: 表象 技术 细节 闪存 NAND 16Gb MLC 解密

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