惠普开发记忆电阻器项目取得进展
据国外媒体报道，惠普科学家在开发名为“memristors”(记忆电阻器)的下一代内存技术方面取得了小的突破。一些人认为，这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。惠普科学家本周一在《纳米技术》杂志上发表的论文中称，他们已经描绘出记忆电阻器在电子运行期间内部发生的情况的基本化学性质和结构。
惠普高级研究员斯坦·威廉斯(Stan Williams)称，以前，虽然可工作的记忆电阻器已经在实验室中制作成功，但是，科学家还不确切地知道这个微小的结构中在发生什么事情。但是，惠普有信心实现这个技术的商品化，这个新发现能够让惠普显著改善它的性能。
记忆电阻器是加州大学伯克利分校的一位教授在1971年首次阐明的。在此之前，科学家仅知道三个基本电路元件：电阻器、电容器和电感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把记忆电阻器称作第四个元件。
几十年后，惠普科学家证明记忆电阻器是存在的，并且证明他们能够让记忆电阻器在两个或者更多的电阻级别上来回交换，这就使它们能够代表数字计算中的1和0。威廉斯表示，他个人预计惠普的记忆电阻器技术将在2013年年中开始商业性提供。不过，威廉斯称，这不是惠普公司的官方承诺。
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