采用新型IGBT优化软开关应用中的损耗
在典型饱和压降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向电压Vf=1.25V@175℃(额定电流)的条件下，功率损(特别是软开关应用的导通损耗)可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降时间的切线可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2在下降时间方面是最为出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω；tf=40ns@175℃。(在硬开关条件下测量，参见带有Eoff曲线的图6和图7)。
图5 ：来自英飞凌科技的最新一代RC2-IGBT(IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A)。采用无铅电镀TO-247封装
图6 ：在硬开关条件下，175℃结温以及室温下IHW20N120R2(IN=20A，Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降时间切线
图7 ：在硬开关条件下，175℃结温以及室温下RC2-IGBT的Eoff曲线
图6显示如果栅极电阻低于30(，下降时间再度上升。这对于实现良好的EMI行为非常重要。所有市场上相关应用设计目前使用的栅极电阻都在10~20Ω之间。这个栅极电阻选用区域也是最低开关损耗区(见图7)。它具有最低的开关损耗和合适的EMI表现。
图8 ：室温和不同电流条件下IHW20N120R2的饱和压降与Vf的关系
图7和图8显示了最新一代RC2-IGBT(IHW20N120R2)的超低饱和压降Vce(sat)和正向电压Vf。图8显示了1,000片该器件在室温和不同电流条件下的最低和最高饱和压降的曲线图，图9显示了它们在不同温度和20A额定电流条件下的饱和压降曲线图。
图9 ：20A标称电流和不同温度下IHW20N120R2的饱和压降与Vf的关系
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