等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性
等离子预处理作用
为了了解等离子处理对Cu/SiN界面的作用，在PECVD系统中于淀积SiN体薄膜前有和没有预处理情况下淀积SiN薄膜。通过用SIMS测量Cu和SiN界面污染，研究等离子预处理的作用。实验数据说明，淀积SiN体薄膜前用NH3处理可显著减少Cu和SiN界面处的O和C含量（图3）。增加预处理时间也可使O和C含量减少，见图4和图5，这表明NH3预处理是去除有机污染和减少到Cu的Cu-O的有效方法。
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