应用金属氧化硅的场效应晶体管电路
作者:dolphin
时间:2012-07-19
常常需要上升率很小的锯齿电压发生器,为了降低上升率,普通晶体管锯齿电压发生器需要一个很大的积分电容器。因为要减少负载和输出晶体管漏电流的影响,所以电容器充电电流必须很大。
当其用作拾取器件时,MOSFET有效地消除了负载和漏电流对积分电容器的影响。这就使电容器充电电流大为减小,因而也就减小了积分电容器的值。
MOSFET可以设计成源极跟踪器。其源极电压,通常比栅极电压高5~6伏。
当其用作拾取器件时,MOSFET有效地消除了负载和漏电流对积分电容器的影响。这就使电容器充电电流大为减小,因而也就减小了积分电容器的值。
MOSFET可以设计成源极跟踪器。其源极电压,通常比栅极电压高5~6伏。
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