雪崩光电二极管(APD)结构及原理

  作者:dolphin 时间:2011-05-03

当耗尽区中的场强达到足够大(~3*1O^5V/cm)时,光生载流子将被加速到很高的速度,在运动过程中与晶格中的原子碰撞时会使之电离,产
生额外的电子空穴对。这些新生电子和空穴也被加速,发生新的碰撞和电离,产生更多的电子一空穴对。这个物理过程称为雪崩效应,它倍增 了一次光电流,使之得到放大。由于倍增过程是随机产生的,倍增增益就取统计平均值。<g=G。倍增增益与许多因素有关,如载流子电
离系数,雪崩区的宽度以及反向偏压的高低等。





关键词: 雪崩 光电二极管 结构 原理

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