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　　用电流互感器二次绕组感应电压驱动MOSFET栅极的原理电路如图所示。电流首先通过MOSFET寄生二极管流通，于是，电流互感器二次绕组上产生感应电压，此电压超过门限电压时对MOSFET栅极充电，电流通过MOSFET沟道流通。开始流经寄生二极管的电流产生约IV的压降，但流经MOSFET沟道时，只有其导通电阻产生的较低压降，无其他电压降，即进行同步整流。图中的原理电路不能原封不动地用于高速开关整流，原因有二：其一，电流波形近似方波，栅极高速充电电流大部分流经寄生二极管，失去导通电阻产生低压降的优越性；其二，开关器件由导通转为截止时，栅极放电若有延时，延时部分的电流为反向电流，产生较大损耗。为此，需要增设MOSFET栅极高速充放电的驱动电路。电流互感器的二次侧能取出较高的电压，但其阻抗很高，获得的电流很小，因此，需在互感器与MOSFET栅极之间增设电流放大器，从输出电压中获取功率供给电流放大器。

　　图 电压驱动MOSFET栅极的原理电路图