高性能带隙基准电压源的总体电路图

  作者:fanxiaoxi 时间:2022-10-19

  如下图所示为一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现,采用3.3V电源电压,在-40~100℃范围内,达到低于6ppm/℃的温度系数,在1kHz和27℃下,电源抑制比达到82dB。

  需要指出的是,为了避免零电流工作状态,保证偏置基准源进入正常工作,增加了自启动电路。启动电路的工作过程为:在刚启动时,MP7、MN5导通,对电容C1分别实现充、放电。随着电源电压的逐步建立,电容C1上电位逐渐提高,使MP7逐渐脱离饱和趋于截止,直至自启动电路关闭。在启动电路中,各MOS管宽长比的选择要保证启动过程的顺利进行,同时还应注意启动过程瞬间电流不能过大,启动之后,启动电路不对电流基准源电路稳态工作造成任何影响。

  

关键词: 电压源 基准电压源

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