128Mbits可编程CMOS SDRAM,高存储带宽应用的理想选择
作者:angelazhang
时间:2015-08-23
Alliance Memory近期发布的的AS4C8M16SA系列,是高速的CMOS的SDRAM,具有128Mbits。所有的信号在时钟的上升沿被有效地写入。SDRAM的读和写接口是突发导向的;读写开始在一个选定的位置,然后编程一个指定的数据区域。SDRAM提供可编程的读写突发长度为1、2、4、8页或全页。通过配置一个可编程的模式寄存器,系统可以选择一个最适合的模式以达到最佳性能。在要求高存储带宽和高性能特性的PC应用领域,该器件也非常适用。
图:AS4C8M16SA系列SDRAM
AS4C8M16SA SDRAM的特性:
• 快速读写时钟:5/5.4ns
• 快速时钟速率:166/143MHz
• 完全同步操作
• 内部流水线结构
• 可编程模式寄存器
• 运行温度范围:
- 商业(0~70℃)
- 工业(-40~85℃)
• 4096更新周期/64ms
• CKE电源掉电模式
• 单电源3.3V供电
• 接口:LVTTL
• 54pin 400mil塑封TSOP II
• 54ball 8.0*8.0*1.2mm(max)FBGA封装
关键词: AS4C8M16SA SDRAM 同步动态存储器
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