电子产品世界

用串联N沟道J -F-ET和PNP晶体管，可以得到电源电
压利用率高的电路。栅极电阻Ri，Ri决定了直德工作点，
并使Tr2的集电极电压为V oc／2,5fTr1的开路放大倍数约为
．5倍。由于，r王的射般电阻为100 0，集电掇负载为lkQ，所
以其开路放大倍数约为10倍，总放大倍数为50倍(34dB),
由于负反馈也为34dB，因此，可以得劐信号失真小，频带
硫等特性§

关键词： FET 输入 变换器 输入阻抗