银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术量产
银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码
银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码